GaN パワーアンプ

Gallium Semiconductor

Gallium Semiconductor

Gallium Semiconductorは2020年に設立された
シンガポールに本社を置くグローバル企業です。
RF半導体の専門家でサポートチームが構成されており
5G通信ネットワークをはじめとする通信機器向けだけでなく航空宇宙・防衛、産業・科学・医療分野において、RFに関連する様々なアプリケーション向けの製品の 設計・開発をしています。

ベア ダイ(GaN Bare Die)の提供も可能です。


製品カタログはこちら

~周波数(アプリケーション)ごとの資料は下記をご覧ください~
1.625-1.675GHz SATCOM
2.45 GHz ISMバンド
Cバンド・Xバンド パルスレーダー
Lバンド・Sバンド パルスレーダー
5G 通信用途
VHF/UHF
Discrete Wideband GaN Amplifiers in DFN

優れた信頼性と高効率を備えた高性能 GaN-on-SiC ディスクリート HEMT シリーズを
提供しています。
トランジスタは、RoHS 準拠のプラスチックオーバーモールドおよびエアキャビティセラミック (ACC) パッケージでの提供です。

◆詳しい仕様は品番をクリックすると確認頂けます。
◆データシートの無い製品については、お問合せ下さい。

品番 周波数
(GHz)
Psat
(W)
Linear Gain(dB) Efficiency(%) Voltage
(V)
Package ECCN Image
GT010D DC-8.0 10 21 63 50 DFN 3X6 EAR99
GT012D DC-12.0 12 21 66 28 DFN 3X6 EAR99
GT020D DC-7.0 20 21 66 50 DFN 3X6 EAR99
GT030D DC-6.0 30 21 66 50 DFN 3X6 EAR99
GT065D DC-3.7 65 23 67 50 DFN 3X6 EAR99
GT090D DC-3.7 90 23 68 50 DFN 3X6 EAR99
GT135D DC-3.2 135 22 67 50 DFN 3X6 EAR99

Discrete Wideband GaN Amplifiers in ACC

品番 周波数
(GHz)
Psat
(W)
Linear Gain(dB) Efficiency(%) Voltage
(V)
Package ECCN Image
GTH0-0080015S DC-8.0 15 20 63 50 NI-200 EAR99
GTH0-0070030S DC-7.0 30 19 68 50 NI-200 EAR99
GTH0-0060050S DC-6.0 50 19 66 50 NI-360 EAR99
GTH0-0037080S DC-3.7 80 18 65 50 NI-360 EAR99
GTH0-0037110S DC-3.7 110 21 65 50 NI-360 EAR99
GTH0-0032150S DC-3.2 150 18 70 50 NI-360 EAR99
GTH0-0032180P DC-3.2 180 18 66 50 NI-650 EAR99



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